Электроника и наноэлектроника

Программа вступительных испытаний


Контакты

Руководитель основной образовательной программы:
Солдатов Алексей Иванович, профессор кафедры промышленной и медицинской электроники Института неразрушающего контроля

Контактная информация:
634050, г. Томск, ул. Тимакова, 12, Учебный корпус № 16 в, офис 319
Тел.: (3822) 41-96-05

Контактная информация:
634050, г. Томск, пр. Ленина, 30, Главный корпус, офис 323
Тел.: (3822) 701-802. Отдел магистратуры.


Выпускники образовательной программы Электроника и наноэлектроника подготовлены к научно-исследовательской, производственно-технологической, проектной и организационно-управленческой деятельности, обеспечивающей внедрение новых разработок и эксплуатацию устройств электроники и наноэлектроники.

Эффективное использование современного оборудования требует не только обширных и глубоких знаний в области цифровой электроники, измерительных преобразований, информационных технологий, информационно-измерительных систем, но и специфики и технологии в конкретной отрасли промышленности, существующих методов и средств управления и контроля в производстве, тенденций их совершенствования. На предприятиях различных отраслей промышленности существует большая потребность в специалистах не только обладающих профессиональными знаниями и навыками в области применения современных микроконтроллеров для управления и контроля на различных стадиях производства, современных информационных технологий, но и готовых к выполнению инновационных проектов.

 Профили подготовки

Материально-техническая база

При подготовке магистров используются ресурсы базовых кафедр, а это классы и аудитории, оснащенные современными компьютерами и мультимедийной техникой, учебно-исследовательскими стендами, отладочными комплектами, осциллографы, генераторы, источники питания, а также ресурсы:

Примерами лабораторного оборудования могут стать:

  • Стенд для  исследования транспортировки электронного пучка и генерации микроволнового излучения;
  • Стенд для изучения физических основ технологических применений наносекундных и субнаносекундных газовых разрядов;
  • Стенд для исследования процессов формирования и транспортировки нерелятивистского сильноточного электронного пучка в плазмонаполненном диоде и воздействия электронного пучка на различные материалы;
  • Стенд для исследования параметров излучения эксимерного лазера и физических основ технологии обработки поверхности материалов мощными  лазерными импульсами;
  • Стенд для изучения эмиссионных свойств плазмы, транспортировки микросекундных пучков и их взаимодействия с твердыми телами;
  • Стенд для генерации многозарядной плазмы металлов для ионной имплантации;
  • Импульсный источник мягкого рентгеновского излучения на основе компактного сильноточного генератора;
  • Стенд для физического моделирования электронных схем;
  • Отладочные комплекты фирм ALTERA и XILINX.

Конкурентные преимущества

Магистр по профилю «Электронные системы контроля, управления и диагностики в технике и медицине» способен:

  • разрабатывать новые микропроцессорные устройства;
  • моделировать современные устройства наноэлектроники;
  • разрабатывать новую элементную базу;
  • разрабатывать математические модели и осуществлять их экспериментальную проверку;

Магистр по профилю «Физическая электроника» способен:

 участвовать в фундаментальных исследованиях и проектах в области

  • генерирования и распространения мощных потоков корпускулярного и электромагнитного излучения,
  • исследования плазмы сильноточных вакуумных и газовых разрядов, разрабатывать новую элементную базу;
  • модифицирования  свойств материалов и изделий плотными пучками заряженных частиц;
  • проектировать и создавать новейшее сильноточное импульсное оборудование и внедрять его на промышленных предприятиях;
  •  разрабатывать и эксплуатировать новые пучково-плазменные технологии обработки материалов

Дисциплины профиля «Электронные системы контроля, управления и диагностики в технике и медицине»

Общенаучный цикл

Базовая часть

  • Философские и методологические проблемы науки и техники
  • Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники
  • Профессиональный иностранный язык

Вариативная часть

  • Методы математического моделирования
  • Многоразрядные микроконтроллеры
  • Интерфейсы микропроцессорных систем
  • Электронные промышленные устройства
  • Системы обработки и отображения информации
  • Проектирование и технология электронной компонентной базы

Профессиональный цикл

Вариативная часть

  • Программируемые логические схемы
  • Аппаратные и программные средства обработки аналоговых сигналов (DSP)
  • Технические средства автоматизации и управления
  • Динамика управляемых преобразовательных устройств
  • Модуляционные формирователи напряжения и тока
  • Автоматизированное проектирование электронных устройств
  • Микропроцессорные системы управления и контроля
  • Электромагнитная совместимость электронных устройств

 Дисциплины профиля «Физическая электроника»

Общенаучный цикл

Базовая часть

  • Философские и методологические проблемы науки и техники
  • Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники
  • Профессиональный иностранный язык
  • Методы математического моделирования

Вариативная часть

  • Физика газового разряда
  • Физика плазмы
  • Экспериментальные методы в сильноточной электронике
  • Радиационные эффекты в твердых телах
  • Импульсная энергетика и электроника

Профессиональный цикл

Вариативная часть

  • Взаимодействие излучения с веществом
  • Электродинамика сплошных сред
  • Электрическая изоляция и разряд в вакууме
  • Физические основы плазменных технологий
  • Мощные газовые лазеры
  • Релятивистская высокочастотная электроника
  • Физика пучков заряженных частиц

Стратегические партнеры реализации магистерской подготовки

Российские

  • ОАО «НПЦ «ПОЛЮС» г.Томск
  • ООО «ЭЛЕСИ» г.Томск
  • Институт сильноточной электроники СО РАН, г. Томск;
  • Институт оптического мониторинга СО РАН г.Томск;
  • ФГУП «РФЯЦ-ВНИИТФ» (г. Снежинск);
  • ОАО «Томский нефтехимический завод»;
  • ООО НПП «ТЭК», г. Томск)
  • Сибирский металлургический комбинат г.Новокузнецк;

Зарубежные:

  • Институт Физики Цлинскго университета, г. Чанчунь (Китай);

Трудоустройство

Выпускники магистерской программы востребованы высшими учебными заведениями и научно-исследовательскими организациями; высокотехнологическими предприятиями, работающими в области радиоэлектроники, космической электроники и т.п., как в самой России, так и в зарубежных странах (например, в Китае, Индии, Корее и т.д.)

Примеры трудоустройства

Научные, проектные и производственные организации и предприятия

  • ООО «ЭЛЕСИ» г.Томск
  • ФГУП «РФЯЦ-ВНИИТФ» (г. Снежинск)
  • ООО НПП «ТЭК» (г. Томск),
  • ОАО «Информационные спутниковые системы» имени академика М. Ф. Решетнёва», г. Железногорск;
  • ОАО «Научно-производственный центр «Полюс»;
  • Институт сильноточной электроники СО РАН, г. Томск;
  • ЗАО «Научно-производственная фирма «Микран», г. Томск;

Учреждения стран СНГ

  • Восточно-Казахстанский технический университет Республики Казахстан, г. Усть Каменогорск.